全球晶圓廠(chǎng)支出下降 中國IC設備市場(chǎng)獨好

　　SEMI發(fā)布預測報告，2019年全球晶圓廠(chǎng)設備支出將下降14％，約為530億美元，預計2020年會(huì )出現27％的復蘇。在存儲器行業(yè)放緩的影響下，晶圓廠(chǎng)設備支出連續三年持續增長(cháng)的態(tài)勢告一段落。不過(guò)，中國市場(chǎng)的設備投資仍然保持增長(cháng)動(dòng)能，2019年有望成為繼韓國之后的第二大半導體設備市場(chǎng)。

　　兩大因素導致2019年資本支出下滑14%

　　全球半導體設備市場(chǎng)動(dòng)向反映了主要廠(chǎng)商的投資狀況，如果景氣向好，廠(chǎng)商積極投資，設備市場(chǎng)也會(huì )同步增長(cháng)；反之，如果景氣不佳，廠(chǎng)商投資意愿也會(huì )轉趨保守，使得設備市場(chǎng)規?？s減。

　　晶圓廠(chǎng)設備支出下降的主要原因是受到存儲器市場(chǎng)需求疲弱以及晶圓代工廠(chǎng)放緩資本支出兩大因素影響。根據SEMI報告的分析，在過(guò)去兩年中，存儲器行業(yè)的投資占所有設備支出的55％，存儲器市場(chǎng)的任何波動(dòng)都會(huì )影響整體設備市場(chǎng)。而對半年來(lái)晶圓廠(chǎng)設備支出的回顧表明，高水平庫存和需求疲軟導致2018年下半年DRAM和NAND兩大存儲器價(jià)格的下跌，且跌幅大于預期。這是直接導致存儲器廠(chǎng)商支出下降的主要原因。根據此前媒體的報道，最大的存儲器廠(chǎng)商三星電子為了阻止存儲器價(jià)格下滑，2019年的整體資本支出將下滑8%，其中在DRAM上的投資大砍20%。而根據SEMI的預測，存儲器廠(chǎng)商整體支出將下降36％。

　　晶圓代工廠(chǎng)是半導體設備支出的第二大影響因素。在過(guò)去兩年中，每年晶圓代工廠(chǎng)設備訂單占整體市場(chǎng)份額在25％到30％之間。SEMI預計，在2019年和2020年晶圓代工廠(chǎng)訂單的年度份額將穩定在30％左右。雖然晶圓代工廠(chǎng)在設備支出方面通常波動(dòng)小于存儲廠(chǎng)商，但是此次依然受到市場(chǎng)變化的影響。2018年下半年晶圓代工廠(chǎng)的設備支出下降了13％。

　　中國市場(chǎng)繼續保持增長(cháng)動(dòng)能

　　盡管全球設備支出下降，但是來(lái)自中國市場(chǎng)的設備投資卻保持增長(cháng)動(dòng)能，這也使得未來(lái)中國市場(chǎng)的重要性進(jìn)一步提高。根據IC Insights的報告，2019年全球將有9座新的12英寸晶圓廠(chǎng)開(kāi)業(yè)，其中有5座來(lái)自中國。2018年全年一共新開(kāi)了7家12英寸晶圓廠(chǎng)，而今年又將新增9家12英寸廠(chǎng)，這是繼2007年以來(lái)一年內最多的一次。SEMI在報告中也指出，2018年中國在晶圓廠(chǎng)方面的投資激增，成為全球第二大設備市場(chǎng)，僅次于韓國。

　　盤(pán)點(diǎn)近年來(lái)國內投資建設的晶圓廠(chǎng)情況，根據芯思想研究院的統計，2018年度宣布投產(chǎn)的晶圓廠(chǎng)達到10家；2018年度前已經(jīng)投產(chǎn)，但2018年開(kāi)始新產(chǎn)能建設的有4家；2018年度正在建設的全新晶圓生線(xiàn)21條：2018年度規劃建的有2家。中國在晶圓廠(chǎng)建設上的投資領(lǐng)先全球。

　　其中較具代表性的上海華力二期項目于2016年12月30日開(kāi)工建設，2018年10月18日生產(chǎn)線(xiàn)正式投片，首批12英寸硅片進(jìn)入設備，開(kāi)始28納米工藝芯片制造。長(cháng)江存儲2016年7月26日成立，2016年12月30日國家存儲器基地項目正式開(kāi)工建設，2018年第四季度長(cháng)江存儲一期工程正式投產(chǎn)，32層3D NAND閃存芯片成功實(shí)現量產(chǎn)。2018年第三季度中芯寧波8英寸特種工藝N1產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)設備進(jìn)廠(chǎng)，2018年11月2日正式投產(chǎn)。同日，N2產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工建設。

　　國際廠(chǎng)商在中國大陸進(jìn)行了大量晶圓廠(chǎng)的布局建設，也是中國設備需求增長(cháng)的重要原因。盤(pán)點(diǎn)重點(diǎn)項目包括：2016年3月臺積電南京項目正式落戶(hù)，2016年7月項目一期開(kāi)工建設，2018年5月晶圓廠(chǎng)開(kāi)始試投產(chǎn)。2018年第二季度，英特爾宣布大連廠(chǎng)二期投產(chǎn)，主要生產(chǎn)96層的3D NAND閃存。2018年3月三星宣布在西安舉行第二條NAND閃存芯片生產(chǎn)線(xiàn)的奠基儀式，2019年投產(chǎn)。2017年10月29日，SK海力士計劃在無(wú)錫興建新廠(chǎng)，項目完成后將形成月產(chǎn)能20萬(wàn)片10納米工藝等級的晶圓生產(chǎn)線(xiàn)。

　　上海華虹（集團）有限公司董事長(cháng)張素心在SEMICON China2019的開(kāi)幕主題演講中指出，中國集成電路企業(yè)是全球材料設備企業(yè)的重要合作伙伴。中國是全球第二大半導體設備市場(chǎng)，2018年達到118億美元，預測2019年將成為全球第一大市場(chǎng)，同時(shí)也是主要設備廠(chǎng)商最重要的市場(chǎng)。

　　KLA-Tencor高級副總裁兼首席營(yíng)銷(xiāo)官Oreste Donzella表示，盡管業(yè)內普遍認為2019年半導體設備市場(chǎng)增長(cháng)平緩，但中國的晶圓廠(chǎng)設備市場(chǎng)增長(cháng)卻相對較快。

　　中國設備業(yè)應抓住難得的市場(chǎng)機遇

　　盡管中國半導體以及相關(guān)設備市場(chǎng)持續擴大，但是裝備制造業(yè)一直是中國半導體的薄弱環(huán)節。上述半導體設備也大多需要從國際設備廠(chǎng)采購。據美國的半導體產(chǎn)業(yè)調查公司VLSI Research發(fā)布的2018年全球半導體生產(chǎn)設備廠(chǎng)商排名，前十廠(chǎng)商美國4家，日本5家，歐州1家。中國供應商還無(wú)法滿(mǎn)足國內晶圓廠(chǎng)的需求。

　　不過(guò)，經(jīng)過(guò)這些年的發(fā)展，國內半導體設備業(yè)已呈現出較快增長(cháng)的勢頭。北方華創(chuàng )通過(guò)近九年的科技攻關(guān)，完成了刻蝕機、磁控濺射、氧化爐、低壓化學(xué)氣相沉積、清洗機、原子層沉積等集成電路設備90/55/40/28納米工藝驗證，實(shí)現了產(chǎn)業(yè)化。中微半導體先后承擔并圓滿(mǎn)完成65～45納米、32～22納米、22～14納米等三項等離子介質(zhì)刻蝕設備產(chǎn)品研制和產(chǎn)業(yè)化的集成電路專(zhuān)項任務(wù)，使我國在該項設備領(lǐng)域中的技術(shù)基本保持了與國際先進(jìn)水平同步。

　　在市場(chǎng)需求快速增長(cháng)的背景下，中國設備企業(yè)也應抓住機遇，趕上這班高速增長(cháng)的"列車(chē)"。中科院微電子所所長(cháng)葉甜春指出，要想做強中國集成電路產(chǎn)業(yè)特別是裝備制造業(yè)，幾個(gè)問(wèn)題亟待解決：一是產(chǎn)業(yè)模式單一，需要在無(wú)晶圓設計和芯片代工制造基礎上，根據產(chǎn)品特點(diǎn)發(fā)展多元的模式，尤其是IDM。二是裝備和材料還要加強，現在28納米以上的產(chǎn)品工藝和特色工藝種類(lèi)覆蓋仍然不夠。三是協(xié)同發(fā)展的產(chǎn)業(yè)生態(tài)需要盡快形成，"系統-芯片-工藝-裝備-材料"緊密協(xié)同對整個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。四是改變產(chǎn)業(yè)布局的無(wú)序競爭、碎片化與同質(zhì)化傾向。（記者 陳炳欣）

　　轉自：中國電子報

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